(最終更新日:2023-08-17 16:31:44)
  ヤスダ タカシ   Takashi Yasuda
  安田 隆
   所属   石巻専修大学  理工学部
   職種   教授
■ 学歴
1. 1982/03 名古屋大学 理学部 物理 卒業
2. 1982/04~1985/03 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報工学 博士課程中退
3. 1989/07
(学位取得)
東京工業大学 工学博士
■ 担当科目
1. Web講義要項(シラバス)〔学部〕 Link
■ 所属学会
1. 1983/04~ 応用物理学会
2. 1989/09~ The American Physical Society
■ 現在の専門分野
キーワード:半導体,薄膜, 酸化物 
■ 著書・論文歴
1. 2021/03 論文  ゾル・ゲルディップ法による NiO のエピタキシャル成長 石巻専修大学 研究紀要 32,55-59頁 (共著) 
2. 2020 論文  Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β‐Ga2O3 Substrates physica status solidi (b)257(2020) 257,pp.257 (共著) 
3. 2019/03 論文  ゾル・ゲルディップ法を用いた酸化亜鉛系半導体の作製 石巻専修大学研究紀要 (30),pp15-21頁 (単著) 
4. 2014 論文  Synthesis of ZnO/MgZnO multilayer films by sol-gel dip method physica status solidi (c) 11,pp.1365-1368 (共著) 
5. 2008 論文  Epitaxial Growth of ZnO by Sol-Gel Method J. Korean Phys. Soc. 53,pp.2921 (共著) 
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■ 学会発表
1. 2023/09 NiO エピタキシャル結晶の水素処理効果(第84回応用物理学会秋期学術講演会)
2. 2020/09 ゾル・ゲルディップ法による Co 添加 NiO のエピタキシャル成長(第81回応用物理学会秋期学術講演会(2020秋))
3. 2020/03 ゾル・ゲルディップ法によるMgO(001)基板へのNiOエピタキシャル成長(第67回応用物理学会春季学術講演会〔2020春))
4. 2019/03 (001)β-Ga2O3基板上に作成したNiO薄膜の結晶配向性(第66回応用物理学会春季学術講演会)
5. 2019/03 ゾル・ゲルディップ法によるNiCdO薄膜の作成(第66回応用物理学会春季学術講演会)
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■ 受賞学術賞
1. 1999/10 トーキン科学技術振興財団 トーキン科学技術振興財団貢献賞