研究者情報システム - 中込　真二

■ 学歴

1.		山梨大学工学部卒業
2.		東北大学工学研究科電子工学専攻博士後期課程修了

■ 担当科目

1.	Web講義要項（シラバス）〔学部〕

■ 所属学会

1.	～	応用物理学会
2.	～	電気学会

■ 現在の専門分野

応用物性・結晶工学, 電子デバイス・電子機器　（キーワード：ワイドバンドギャップ半導体、デバイス、センサデバイス、高温動作）

■ 著書・論文歴

1.	2023/11	論文	Epitaxial relationship of NiO on (-102)　β-Ga₂O₃ Japanese Journal of Applied Physics 62,pp.128001 （共著）
2.	2023/10/09	論文	Ultraviolet Photodetector Based on a Beta-Gallium Oxide/Nickel Oxide/Beta-Gallium Oxide Heterojunction Structure Sensors 23,pp.8332 （単著）
3.	2021/07	論文	Magnesium Diffusion from MgO Substrates in Sol–Gel-Derived NiO Epitaxial Films: Effects of Heat Treatment Temperature and Li Doping Physica Status Solidi B early view （共著）
4.	2021/03	論文	ゾル・ゲルディップ法によるNiOのエピタキシャル成長石巻専修大学紀要 (32),55-59頁（共著）
5.	2020/12	論文	Electrical Conductivity Studies in Sol−Gel Derived Li-Doped NiO Epitaxial Thin Films Physica Status Solidi B, 257,pp.202000330 （共著）
6.	2020/05	論文	Crystal Orientation of Cubic NiO Thin Films Formed on Monoclinic β-Ga₂O₃ Substrates Physica Status Solidi B 257,pp.1900669 （共著）
7.	2019/03	論文	β-Ga₂O₃/p-type 4H-SiC Heterojunction Diodes and Applications to Deep-UV Photodiodes Physica Status Solidi A 216,pp.1700796 （共著）
8.	2017/12	論文	Crystal Orientation of Monoclinic β-Ga₂O₃ Thin Films Formed on Cubic MgO Substrates with a γ-Ga₂O₃ Interfacial Layer Journal of Crystal Growth 479,pp.67-74 （共著）
9.	2017	論文	Beta-gallium oxide /SiC heterojunction diodes with high rectification ratios ECS Journal of Solid State Science and Technology 6(2),pp.Q3030-3035 （共著）
10.	2016/09	論文	All-oxide p-n heterojunction diodes comprising p-type NiO and n-type β-Ga₂O₃ Applied Physics Express 9,pp.091101 （共著）
11.	2016/07	論文	The orientational relationship between monoclinic β-Ga₂O₃ and cubic NiO Journal of Crystal Growth 445,pp.73-77 （共著）
12.	2016/06	論文	Crystal orientations of β-Ga₂O₃ thin films formed on c-plane GaN substrate Physica Status Solidi B 253(6),pp.1217-1221 （共著）
13.	2016/03	論文	NiO films grown epitaxially on MgO substrates by sol–gel method Thin Solid Films 601,pp.76-79 （共著）
14.	2015/09	論文	Crystal orientations of β-Ga₂O₃ thin films formed on n-plane sapphire substrates Physica Status Solidi B 252(9),pp.2117-2122 （共著）
15.	2015/08	論文	Deep Ultraviolet Photodiodes Based on the β-Ga₂O₃ /GaN Heterojunction 232,pp.208-213 （共著）
16.	2015/03	論文	Crystal orientation of β-Ga₂O₃ thin films formed on m-plane and r-plane sapphire substrates Physica Status Solidi B 252(3),pp.612-620 （共著）
17.	2014/10	論文	Devices Based on Series-Connected Schottky Junctions and β-Ga₂O₃/SiC Heterojunctions characterized as hydrogen sensors Journal of Sensors and Sensor Systems 3,pp.231-239 （共著）
18.	2013/10	論文	Hydrogen Gas Sensor with Self Temperature Compensation Based on β-Ga₂O₃ Thin Film Sensors and Actuators B 187,pp.413-419 （共著）
19.	2013/09	論文	Cross-Sectional TEM Imaging of β-Ga₂O₃ Thin Films Formed on c-Plane and a-Plane Sapphire Substrates Physica Status Solidi A 210(9),pp.1738-1744 （共著）
20.	2013/08	論文	Deep Ultraviolet Photodiodes Based on β-Ga₂O₃/SiC Heterojunction Applied Physics Letters 103,pp.072105 （共著）
21.	2012/06	論文	Crystal Orientation of β-Ga₂O₃ Thin Films Formed on c-Plane and a-Plane Sapphire Substrate Journal of Crystal Growth 349(1),pp.12-18 （共著）
22.	2011/04	論文	Comparison of Hydrogen Sensing Properties of Schottky Diodes Based on SiC and β-Ga₂O₃ Single Crystal Sensor Letters 9(2),pp.616-620 （共著）
23.	2011/03	論文	Solar-Blind Photodiodes Composed of a Au Schottky Contact and β-Ga₂O₃ Single Crystal With a High Resistivity Cap Layer Applied Physics Letters 98,pp.131114 （共著）
24.	2011/02	論文	Hydrogen Sensitive Schottky Diode Based on β-Ga₂O₃ Single Crystal Sensor Letters, vol. 9 9(1),pp.35-39 （共著）
25.	2010/07	論文	Sol-gel prepared (Ga_1−XIn_X)₂O₃ thin films for solar-blind ultraviolet photodetectors Phys. Status Solidi A 207(7),pp.1741-1745 （共著）
26.	2009/06	論文	Enhancement of responsivity in solar-blind β-Ga₂O₃ photodiodes with a Au Schottky contact fabricated on single crystal substrates by annealing Applied Physics Letters 94,pp.222102 （共著）
27.	2009/06	論文	Field Effect Hydrogen Sensor Device with Simple Structure Based on GaN Sensors and Actuators B 140,pp.79-85 （共著）
28.	2009/02	論文	Influence of Ambient, Gate Metal and Oxide Thickness on Interface State Density and Time Constant in MOSiC Capacitor Materials Science Forum 600-603,pp.735-738 （共著）
29.	2007/08	論文	Field-effect hydrogen sensor device with floating gate exhibiting unique behavior Sensors and Actuators B 125,pp.408-414 （共著）
30.	2007/02	論文	Electrical characterization and hydrogen gas sensing properties of a n ZnO/p SiC Pt gate Metal Semiconductor Field Effect Transistor Applied Physics Letters 90,pp.064103 （共著）
31.	2007/01	論文	Sol-gel prepared β-Ga₂O₃ thin films for ultraviolet photodetectors Applied Physics Letters 90,pp.031912 （共著）
32.	2006/12	論文	Simple Planar Structure Hydrogen Gas Sensor Device with Large Response Rare Metal Materials and Engineering 35(3),pp.120-123 （共著）
33.	2006/05	論文	New Materials for Chemical and Biosensors Materials and Manufacturing Processes, Taylor & Francis Group 21,pp.253-256 （共著）
34.	2005/12	論文	Evaluation of Interface States in Gas Sensor with Pt-SiO₂-SiC Structure under High-Temperature Conditions by AC Conductance Method Japanese Journal of Applied Physics 44(12),pp.8371-8377 （共著）
35.	2005/10	論文	Preparation of β-FeSi₂ Thin Films on Silica Glass Substrates by Vacuum Evaporation Using FeSi₂ Powder as Evaporation Material Japanese Journal of Applied Physics 44(10),pp.7552-7554 （共著）
36.	2005/07	論文	Hydrogen sensing by NKN thin film with high dielectric constant and Ferro-electric property Sensors and Actuators B 108,pp.490-495 （共著）
37.	2005/07	論文	Influence of gate bias of MISiC-FET gas sensor device on the sensing properties Sensors and Actuators B 108,pp.501-507 （共著）
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■ 学会発表

1.	2024/03/23	(-102)面β-Ga2O3基板上NiO膜のエピタキシャル構造（第71回応用物理学会春季学術講演会 23a-31A-8）
2.	2023/09/20	(001) β-Ga₂O₃基板上のNiO薄膜上に形成したGa₂O₃薄膜（第84回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集　20p-A302-3）
3.	2023/09/20	NiOエピタキシャル結晶の水素処理効果（第84回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集　20a-A302-4）
4.	2023/03/16	p-NiO/n-Ga₂O₃ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション（令和5年電気学会全国大会　講演論文集　 221-B1 4-009）
5.	2023/03/16	加熱β-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜（第70回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集 16p-E102-12）
6.	2022/03/26	β-Ga₂O₃ / NiO / β-Ga₂O₃ 構造に基づくフォトトランジスタの試作（第６９回応用物理学会春季学術講演会）
7.	2021/09/12	NiO/β-Ga₂O₃ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性（第82回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集 12p-N305-11）
8.	2021/09/12	酸素中熱処理によるNiO/β-Ga₂O₃ダイオードの高耐圧化（第82回応用物理学会秋季学術講演会、講演要旨集 12p-N305-10）
9.	2021/03/18	Ga₂O₃基板上への NiGa₂O₄薄膜の形成（第68回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集、18p-Z33-13）
10.	2019/03/09	(001) β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性,（第66回応用物理学会春季学術講演会）
11.	2018/09/21	NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性（第79回応用物理学会秋季学術講演会）
12.	2018/09/19	ゾル・ゲルディップ法によるNiO薄膜の作成（第79回応用物理学会秋季学術講演会）
13.	2018/03/20	NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合フォトダイオードの紫外線検出特性（第65回応用物理学会春季学術講演会）
14.	2018/03/20	β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性（第65回応用物理学会春季学術講演会）
15.	2017/09/07	(111) MgO基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性（第78回応用物理学会秋季学術講演会）
16.	2017/03	MgO基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性（第64回応用物理学会春季学術講演会）
17.	2017/03	NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードの電流-電圧特性の温度依存性（第64回応用物理学会春季学術講演会）
18.	2016/09	c面サファイア・オフ基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性（第77回応用物理学会秋季学術講演会）
19.	2016/09	Gaアセチルアセトナートを原料に用いたβ-Ga₂O₃の減圧MOCVD成長（第77回応用物理学会秋季学術講演会）
20.	2016/03/21	β-Ga₂O₃の基板上へのNiO薄膜の成⻑とヘテロ接合ダイオードへの応用（第63回応用物理学会春季学術講演会）
21.	2016/03	NiO上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向とそのヘテロ接合（第63回応用物理学会春季学術講演会）
22.	2015/11/05	Crystal Orientation of beta-Ga₂O₃ Layers Formed on GaN Template Substrates and Its Application to Deep UV Sensors（International workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2015), H6）
23.	2015/09	GaNとβ-Ga₂O₃のヘテロ構造に基づくショットキーダイオード（第76回応用物理学会秋季学術講演会）
24.	2015/09	ゾル-ゲル法によるMgO基板上でのNiO薄膜成長に及ぼす焼成温度の影響（第76回応用物理学会秋季学術講演会）
25.	2015/03	ガリウムアセチルアセトナートを用いた酸化ガリウムのMOCVD成長（第62回応用物理学会春季学術講演会）
26.	2015/03	ゾル‐ゲル法により成長したNiOエピタキシャル膜の格子歪（第62回応用物理学会春季学術講演会）
27.	2014/09	β-Ga₂O₃ / SiCヘテロ接合に基づく深紫外フォトダイオード（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
28.	2014/09	ゾル-ゲル法によるMgO基板上へのNiO薄膜の作製（第75回応用物理学会秋季学術講演会）
29.	2014/05	Hydrogen Gas Sensor Based on Series Connection of Schottky junction and β-Ga₂O₃ / SiC Heterojunction（European Materials Research Society (E-MRS), Spring Meeting）
30.	2014/03	m面サファイア基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶配向性（第61回応用物理学会春季学術講演会）
31.	2014/03	β-Ga₂O₃ / SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性（第61回応用物理学会春季学術講演会）
32.	2013/09	β-Ga₂O₃とSiCによるヘテロ接合ダイオード（第74回応用物理学会秋季学術講演会）
33.	2013/05	Deep UV Photodiode Based on β-Ga₂O₃-SiC Heterojunction（8th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-8)）
34.	2012/05	Hydrogen Gas Sensor Based on β-Ga₂O₃ Thin Film with a Function of Self Temperature Compensation（The 14th International Meeting on Chemical Sensors）
35.	2012/03	c面サファイア基板上に形成したβ-Ga₂O₃薄膜の結晶方位（第59回応用物理学関係連合講演会）
36.	2011/03/14	Large Response of Hydrogen Sensitive Schottky Diode Based on beta-Ga₂O₃（7th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics (TOEO-7)）
37.	2010/11/05	Pt-Ga₂O₃ダイオード型水素センサへの酸素共存下における水素吸着（第24回日本吸着学会研究発表会）
38.	2010/09/15	β-Ga₂O₃に対するオーミック電極の形成（第71回応用物理学会学術講演会）
39.	2010/09/14	β-Ga₂O₃ 層とZnO犠牲層を用いた自立GaN薄膜の作成（第71回応用物理学会学術講演会）
40.	2010/07/12	Comparison of Hydrogen Sensing Property of Schottky Diode Based on SiC and beta-Ga₂O₃ Single Crystal（13th International Meeting of Chemical Sensors (IMCS-13)）
41.	2010/03/19	Au-Ga₂O₃ ショットキーフォトダイオードの特性（第57回応用物理学関係連合講演会）
42.	2009/11/12	Hydrogen Sensitive Schottky Diode Based on beta-Ga₂O₃ Single Crystal（8th Asian conference on chemical sensors (ACCS 09),）
43.	2009/09/10	Pt-Ga₂O₃-SiC構造をもつMOS界面準位のACコンダクタンス法による評価（第70回応用物理学会学術講演会）
44.	2009/09/09	β-Ga₂O₃ショットキーフォトダイオードにおける光電流の光クエンチング（第70回応用物理学会学術講演会）
45.	2009/06/09	Sol-gel prepared (Ga_1−XIn_X)₂O₃ thin films for solar-blind ultraviolet photodetectors（E-MRS）
46.	2009/03/31	Pt-Ga₂O₃ ショットキーダイオードの高温動作特性（第56回応用物理学関係連合講演会）
47.	2009/03/31	サファイア基板上のβ-Ga₂O₃とGaN層の形成とZnO層を犠牲層とした基板からの剥離（第56回応用物理学関係連合講演会）
48.	2009/03/31	ゾル-ゲル成長Ga₂O₃ キャップ層を有するβ-Ga₂O₃ ショットキーフォトダイオードの特性（第56回応用物理学関係連合講演会）
49.	2008/09/03	窒素ガスおよび窒素酸素混合ガスプラズマ中Ga蒸着による薄膜形成（第69回応用物理学会学術講演会）
50.	2008/09/02	β-Ga₂O₃単結晶を用いたショットキーフォトダイオードの特性（第69回応用物理学会学術講演会）
51.	2008/03/28	ゾル-ゲル法により作製したβ-Ga₂O₃紫外線センサの光感度に及ぼす焼成温度の影響（第55回応用物理学関係連合講演会）
52.	2008/03/28	酸素プラズマ中のGa蒸着によって形成された β-Ga₂O₃ 薄膜（第55回応用物理学関係連合講演会）
53.	2007/10/17	Influence of Ambient, Gate Metal and Oxide Thickness on Interface States Density and Time Constant in MOSiC Capacitor（ICSCRM2007）
54.	2007/09/07	ゾル-ゲル法によりGa₂O₃単結晶基板上へ作製したβ-Ga₂O₃薄膜の紫外線検出特性（第68回応用物理学会学術講演会）
55.	2007/09/07	ゾル-ゲル法による(Ga1-xInx)₂O₃薄膜の作製（第68回応用物理学会学術講演会）
56.	2006/08/31	4H-SiCエピタキシャル層に形成した触媒金属MOS型ガスセンサの界面準位評価（第67回応用物理学会学術講演会）
57.	2006/08/31	ゾル-ゲル法により形成したZnO/p形6H-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性（第67回応用物理学会学術講演会）
58.	2006/08/29	ゾル‐ゲル法によるβ‐Ga₂O₃薄膜の作製と紫外線検出特性（第67回応用物理学会学術講演会）
59.	2005/11/08	Simple Planar Structure Hydrogen Gas Sensor Device with Large Response（6th East Asian conference on chemical sensors）
60.	2005/04/01	ACコンダクタンス法による触媒金属MOS型ガスセンサの界面準位評価、（第52回応用物理学関係連合講演会）
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■ オフィスアワー

随時、可能かを聞いてください。対応できる場合は対応し、後で対応できる時間を伝える場合もあります。

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