(最終更新日:2025-03-04 13:58:29)
  ナカゴミ シンジ   Shinji Nakagomi
  中込 真二
   所属   石巻専修大学  理工学部
   職種   教授
■ 学歴
1. 山梨大学 工学部 卒業
2. 東北大学 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程修了
■ 担当科目
1. Web講義要項(シラバス)〔学部〕 Link
■ 所属学会
1. 応用物理学会
2. 電気学会
■ 現在の専門分野
応用物性・結晶工学, 電子デバイス・電子機器 (キーワード:ワイドバンドギャップ半導体、デバイス、センサデバイス、高温動作) 
■ 著書・論文歴
1. 2023/11 論文  Epitaxial relationship of NiO on (-102) β-Ga2O3 Japanese Journal of Applied Physics 62,pp.128001 (共著) 
2. 2023/10/09 論文  Ultraviolet Photodetector Based on a Beta-Gallium Oxide/Nickel Oxide/Beta-Gallium Oxide Heterojunction Structure Sensors 23,pp.8332 (単著) 
3. 2021/07 論文  Magnesium Diffusion from MgO Substrates in Sol–Gel-Derived NiO Epitaxial Films: Effects of Heat Treatment Temperature and Li Doping Physica Status Solidi B early view (共著) 
4. 2021/03 論文  ゾル・ゲルディップ法によるNiOのエピタキシャル成長 石巻専修大学紀要 (32),55-59頁 (共著) 
5. 2020/12 論文  Electrical Conductivity Studies in Sol−Gel Derived Li-Doped NiO Epitaxial Thin Films Physica Status Solidi B, 257,pp.202000330 (共著) 
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■ 学会発表
1. 2025/03/20 p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードの多層傾斜JTE構造のシミュレーション(令和7年電気学会全国大会、講演論文集、4-083)
2. 2025/03/17 JTE構造をもつNiO/Ga2O3 pnヘテロ接合ダイオードの試作(第72回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集 17a-Y1311-2)
3. 2025/03/17 β-Ga2O3基板上に形成したNiO層のクラックと歪(第72回応用物理学会春季学術講演会、講演要旨集 17a-Y1311-3)
4. 2024/11/18 (-102) β-Ga2O3 基板上のホモ・ヘテロエピタキシとプラズマフリー微細加工(第53回結晶成長国内会議(JCCG-53)シンポジウム, 18p-A11)
5. 2024/03/23 (-102)面β-Ga2O3基板上NiO膜のエピタキシャル構造(第71回応用物理学会春季学術講演会 23a-31A-8)
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