サシカタ　ケンジ   Kenji Sashikata   指方　研二    所属   石巻専修大学  理工学部    職種   教授
言語種別	英語
発行・発表の年月	1998
形態種別	研究論文（学術雑誌）
標題	Underpotential Deposition of Copper on Iodine-Modified Pt(111): In Situ STM and Ex Situ LEED Studies.
執筆形態	共著
掲載誌名	J. Phys. Chem. B
巻・号・頁	102(18),pp.3498-3505
総ページ数	8
著者・共著者	J. Inukai, Y. Osawa, M. Wakisaka, K. Sashikata, Y.-G. Kim, and K. Itaya
概要	ヨウ素原子で修飾された Pt(111) 面上で銅のアンダーポテンシャル析出の過程を電気化学 STM および LEED で解析した結果、ヨウ素の (√7 x √7)構造の下層に。銅の 1x1 構造が形成されることが明らかになった。